Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.kspu.kr.ua/jspui/handle/123456789/4166
Назва: | Темновий струм та низькочастотний шум в InAs- та InSb-фотодіодах |
Інші назви: | Dark current and low-frequency noise in InAs and InSb photodiodes |
Автори: | Ткачук, Андрій Іванович Тетьоркін, Володимир Володимирович Сукач, Андрій Васильович Tkachuk, Andrij Ivanovych Tetyorkin, Volodymyr Volodymyrovych Sukach, Andrij Vasylyovych |
Ключові слова: | інфрачервоний фотодіод InSb InAs низькочастотний шум infrared photodiode InSb InAs low frequency noise |
Дата публікації: | 2021 |
Бібліографічний опис: | Ткачук А. І. Темновий струм та низькочастотний шум в InAs- та InSb-фотодіодах / А. І. Ткачук , В. В. Тетьоркін , А. В. Сукач // Труди ХХІІ Міжнародної науково-практичної конференції "Сучасні інформаційні та електронні технології" (СІЕТ-2021). - Одеса: ПП "Політехперіодика", 2021. С. 78-79. |
Короткий огляд (реферат): | (uk) Із досліджень температурних залежностей ВАХ та диференційного опору встановлено, що транспорт носіїв заряду в дифузійних InSb та InAs фотодіодах задовільно пояснюються в рамках моделі неоднорідного p-n-переходу. Показано, що найбільш ймовірною причиною надлишкового темнового струму та низькочастотного 1/f шуму є тунельний струм через неоднорідні ділянки p-n-переходу, зумовлені протяжними дефекти (дислокаціями, преципітатами). Запропонована модель 1/f шуму, згідної якої шумовий струм при низьких температурах виникає внаслідок флуктуацій тунельного обміну носіями між дислокаційними та зонними станами. (en) From experimental studies of current-voltage, capacitance-voltage characteristics and differential resistance as a function of temperature the transport of charge carriers in diffused InSb and InAs photodiodes is satisfactorily explained within the framework of the inhomogeneous p-n-junction. It is shown that the most probable cause of excess dark current and low-frequency 1/f noise is tunnel current through inhomogeneous parts of the p-n-junction caused by extended defects such as dislocations and precipitates. A model of 1/f noise is proposed, according to which the noise current at low temperatures arises due to fluctuations of tunnel exchange of carriers between dislocation and band states. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://dspace.kspu.kr.ua/jspui/handle/123456789/4166 |
Розташовується у зібраннях: | Наукові видання каф-ри технологічної та професійної освіти |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Темновий струм та низькочастотний шум в InAs- та InSb-фотодіодах.pdf | 1,01 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.