Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.kspu.kr.ua/jspui/handle/123456789/4166
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Ткачук, Андрій Іванович | - |
dc.contributor.author | Тетьоркін, Володимир Володимирович | - |
dc.contributor.author | Сукач, Андрій Васильович | - |
dc.contributor.author | Tkachuk, Andrij Ivanovych | - |
dc.contributor.author | Tetyorkin, Volodymyr Volodymyrovych | - |
dc.contributor.author | Sukach, Andrij Vasylyovych | - |
dc.date.accessioned | 2022-06-20T11:26:26Z | - |
dc.date.available | 2022-06-20T11:26:26Z | - |
dc.date.issued | 2021 | - |
dc.identifier.citation | Ткачук А. І. Темновий струм та низькочастотний шум в InAs- та InSb-фотодіодах / А. І. Ткачук , В. В. Тетьоркін , А. В. Сукач // Труди ХХІІ Міжнародної науково-практичної конференції "Сучасні інформаційні та електронні технології" (СІЕТ-2021). - Одеса: ПП "Політехперіодика", 2021. С. 78-79. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://dspace.kspu.kr.ua/jspui/handle/123456789/4166 | - |
dc.description.abstract | (uk) Із досліджень температурних залежностей ВАХ та диференційного опору встановлено, що транспорт носіїв заряду в дифузійних InSb та InAs фотодіодах задовільно пояснюються в рамках моделі неоднорідного p-n-переходу. Показано, що найбільш ймовірною причиною надлишкового темнового струму та низькочастотного 1/f шуму є тунельний струм через неоднорідні ділянки p-n-переходу, зумовлені протяжними дефекти (дислокаціями, преципітатами). Запропонована модель 1/f шуму, згідної якої шумовий струм при низьких температурах виникає внаслідок флуктуацій тунельного обміну носіями між дислокаційними та зонними станами. | uk_UA |
dc.description.abstract | (en) From experimental studies of current-voltage, capacitance-voltage characteristics and differential resistance as a function of temperature the transport of charge carriers in diffused InSb and InAs photodiodes is satisfactorily explained within the framework of the inhomogeneous p-n-junction. It is shown that the most probable cause of excess dark current and low-frequency 1/f noise is tunnel current through inhomogeneous parts of the p-n-junction caused by extended defects such as dislocations and precipitates. A model of 1/f noise is proposed, according to which the noise current at low temperatures arises due to fluctuations of tunnel exchange of carriers between dislocation and band states. | uk_UA |
dc.language.iso | uk | uk_UA |
dc.subject | інфрачервоний фотодіод | uk_UA |
dc.subject | InSb | uk_UA |
dc.subject | InAs | uk_UA |
dc.subject | низькочастотний шум | uk_UA |
dc.subject | infrared photodiode | uk_UA |
dc.subject | InSb | uk_UA |
dc.subject | InAs | uk_UA |
dc.subject | low frequency noise | uk_UA |
dc.title | Темновий струм та низькочастотний шум в InAs- та InSb-фотодіодах | uk_UA |
dc.title.alternative | Dark current and low-frequency noise in InAs and InSb photodiodes | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Розташовується у зібраннях: | Наукові видання каф-ри технологічної та професійної освіти |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Темновий струм та низькочастотний шум в InAs- та InSb-фотодіодах.pdf | 1,01 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.