Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.kspu.kr.ua/jspui/handle/123456789/4171| Назва: | Dark Current and Noise in Diffused and Epitaxial InAs Photodiodes |
| Автори: | Tkachuk, Andriy Tetyorkin, Volodymyr Sukach, Andriy |
| Ключові слова: | InAs photodiodes noise dislocations dark current |
| Дата публікації: | 2021 |
| Бібліографічний опис: | Tkachuk A. Dark Current and Noise in Diffused and Epitaxial InAs Photodiodes / Andriy Tkachuk, Volodymyr Tetyorkin, Andriy Sukach // Proceedings of 44th International Semiconductor Conference CAS-2021 (an IEEE event), Online October 6-8, Romania. Bucharest, 2021. P. 279-282. |
| Короткий огляд (реферат): | (en) A comparative analysis of the mechanisms of dark current and noise in InAs homo- and heterojunction photodiodes is carried out. It is shown that an excess current of a tunneling nature is the cause of the low-frequency 1/f noise at low temperatures. At high temperatures, the main source of noise is the generation-recombination current in the depleted area. Theoretical models of noise in infrared photodiodes are analyzed as applied to the experimental results obtained in this work. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://dspace.kspu.kr.ua/jspui/handle/123456789/4171 |
| Розташовується у зібраннях: | Наукові видання каф-ри технологічної та професійної освіти |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Dark Current and Noise in Diffused and Epitaxial InAs Photodiodes.pdf | 965,78 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.